Отпечатване на страница
SI4532CDY-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSI4532CDY-T1-GE3
Код на поръчката1779268
Лист с технически данни
45 629 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 5+ | € 0,642 |
| 50+ | € 0,558 |
| 100+ | € 0,387 |
| 500+ | € 0,323 |
| 1000+ | € 0,275 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 5
Множествен: 5
€ 3,21 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSI4532CDY-T1-GE3
Код на поръчката1779268
Лист с технически данни
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel6A
Continuous Drain Current Id P Channel6A
Drain Source On State Resistance N Channel0.038ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.038ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.78W
Power Dissipation P Channel2.78W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Преглед на продукта
The SI4532CDY-T1-GE3 is a 30V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for DC to DC converters and load switch applications. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
Приложения
Power Management
Технически характеристики
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
6A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.038ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.78W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.038ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2.78W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Технически документи (2)
Алтернативи за SI4532CDY-T1-GE3
Открит е 1 продукт
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (07-Nov-2024)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.0005