Отпечатване на страница
SI7119DN-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 200 V, 3.8 A, 1.05 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSI7119DN-T1-GE3
Код на поръчката2295737RL
Лист с технически данни
8 652 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 100+ | € 0,617 |
| 500+ | € 0,484 |
| 1500+ | € 0,434 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 100
Множествен: 5
€ 66,70 (без ДДС)
Допълнителна такса за пренавиване от € 5,00 ще бъде добавена за този продукт
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSI7119DN-T1-GE3
Код на поръчката2295737RL
Лист с технически данни
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id3.8A
Drain Source On State Resistance1.05ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation3.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Преглед на продукта
The SI7119DN-T1-GE3 is a 200VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for active clamp in intermediate DC-to-DC power supplies applications.
- Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -50 to 150°C Operating temperature range
Приложения
Industrial, Power Management
Технически характеристики
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.8A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
1.05ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Y-Ex
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000322
Проследяване на продуктите