Отпечатване на страница
SI7252DP-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 100 V, 36.7 A, 36.7 A, 0.014 ohm
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSI7252DP-T1-GE3
Код на поръчката2364060
Лист с технически данни
26 404 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 2,570 |
| 10+ | € 1,760 |
| 100+ | € 1,240 |
| 500+ | € 0,950 |
| 1000+ | € 0,875 |
| 5000+ | € 0,791 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 2,57 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSI7252DP-T1-GE3
Код на поръчката2364060
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel36.7A
Continuous Drain Current Id P Channel36.7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.014ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.014ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel46W
Power Dissipation P Channel46W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Преглед на продукта
Dual N-channel 100V (D-S) MOSFET for use in primary side switching, synchronous rectification and DC/AC inverters.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg tested
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
36.7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.014ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
46W
Product Range
-
MSL
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
36.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.014ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
46W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Технически документи (2)
Алтернативи за SI7252DP-T1-GE3
Открит е 1 продукт
Сродни продукти
2 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):Lead (07-Nov-2024)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.0001
Проследяване на продуктите