Отпечатване на страница
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSI7414DN-T1-E3
Код на поръчката2396082RL
Лист с технически данни
229 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
На разположение до изчерпване на количествата
Количество | |
---|---|
100+ | € 1,140 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 100
Множествен: 1
€ 119,00 (без ДДС)
Допълнителна такса за пренавиване от € 5,00 ще бъде добавена за този продукт
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSI7414DN-T1-E3
Код на поръчката2396082RL
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id5.6A
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation1.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Алтернативи за SI7414DN-T1-E3
2 Намерени продукта
Преглед на продукта
The SI7414DN-T1-E3 is a TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC conversion applications.
- Reduced total dynamic gate charge (Qg)
- Fast switching
- PWM optimized for high efficiency
- New low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
- 100% Rg tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
Приложения
Industrial, Power Management
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.6A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (3)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Y-Ex
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (10-Jun-2022)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000157
Проследяване на продуктите