Отпечатване на страница
SI7454DDP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 21 A, 0.027 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSI7454DDP-T1-GE3
Код на поръчката2283675
Лист с технически данни
49 918 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 1,510 |
| 10+ | € 1,230 |
| 100+ | € 0,874 |
| 500+ | € 0,635 |
| 1000+ | € 0,560 |
| 5000+ | € 0,523 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 1,51 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSI7454DDP-T1-GE3
Код на поръчката2283675
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source On State Resistance0.027ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation29.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Преглед на продукта
The SI7454DDP-T1-GE3 is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC primary side switch, telecom/server, full/half-bridge DC-to-DC and synchronous rectification applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Приложения
Industrial, Power Management, Communications & Networking
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
29.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.027ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Технически документи (2)
Алтернативи за SI7454DDP-T1-GE3
Открит е 1 продукт
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):Lead (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000272
Проследяване на продуктите