Отпечатване на страница
SI7852DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 12.5 A, 0.0165 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSI7852DP-T1-GE3
Код на поръчката2283668
Лист с технически данни
1 684 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 2,960 |
| 10+ | € 2,420 |
| 100+ | € 1,770 |
| 500+ | € 1,590 |
| 1000+ | € 1,480 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 2,96 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSI7852DP-T1-GE3
Код на поръчката2283668
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id12.5A
Drain Source On State Resistance0.0165ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation1.9W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Преглед на продукта
- N-channel 80V (D-S) TrenchFET® power MOSFET
- Low thermal resistance PowerPAK® package with Low 1.07mm profile
- PWM optimized for fast switching
- 100 % Rg tested
- Used in primary side switch for DC/DC applications
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12.5A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.9W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0165ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Технически документи (2)
Алтернативи за SI7852DP-T1-GE3
Открит е 1 продукт
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.004536
Проследяване на продуктите