Отпечатване на страница
SI7898DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 3 A, 0.068 ohm, SOIC, Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSI7898DP-T1-GE3
Код на поръчката1794797RL
Лист с технически данни
13 880 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 100+ | € 1,350 |
| 500+ | € 1,050 |
| 1000+ | € 0,894 |
| 5000+ | € 0,826 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 100
Множествен: 5
€ 140,00 (без ДДС)
Допълнителна такса за пренавиване от € 5,00 ще бъде добавена за този продукт
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSI7898DP-T1-GE3
Код на поръчката1794797RL
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance0.068ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation1.9W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Преглед на продукта
The SI7898DP-T1-GE3 is a 150VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC power supply primary side switch and industrial motor driver applications.
- New low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
- PWM optimized
- Fast switching
- 100% Rg tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Приложения
Industrial, Power Management
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.9W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.068ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Технически документи (2)
Алтернативи за SI7898DP-T1-GE3
Открит е 1 продукт
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000225
Проследяване на продуктите