Отпечатване на страница
SI8487DB-T1-E1
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 7.7 A, 0.031 ohm, MICRO FOOT, Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSI8487DB-T1-E1
Код на поръчката2364063
Лист с технически данни
Информация за продукта
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSI8487DB-T1-E1
Код на поръчката2364063
Лист с технически данни
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id7.7A
Drain Source On State Resistance0.031ohm
Transistor Case StyleMICRO FOOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
Power Dissipation2.7W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Технически характеристики
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
7.7A
Transistor Case Style
MICRO FOOT
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.031ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.00012