Отпечатване на страница
SIA108DJ-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 12 A, 0.032 ohm, PowerPAK SC-70, Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSIA108DJ-T1-GE3
Код на поръчката3104153RL
Продуктова гамаTrenchFET Gen IV
Лист с технически данни
9 673 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 100+ | € 0,373 |
| 500+ | € 0,298 |
| 1000+ | € 0,273 |
| 5000+ | € 0,225 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 100
Множествен: 5
€ 42,30 (без ДДС)
Допълнителна такса за пренавиване от € 5,00 ще бъде добавена за този продукт
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSIA108DJ-T1-GE3
Код на поръчката3104153RL
Продуктова гамаTrenchFET Gen IV
Лист с технически данни
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.032ohm
On Resistance Rds(on)0.032ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation19W
Power Dissipation Pd19W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Преглед на продукта
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.032ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
19W
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
On Resistance Rds(on)
0.032ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
19W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (07-Nov-2024)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.009
Проследяване на продуктите