Отпечатване на страница
SIC711CD10-T1
Power MOSFET, N Channel, 24 V, 0.005 ohm
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSIC711CD10-T1
Код на поръчката1497633
Лист с технически данни
Вече не се поддържа на склад
Информация за продукта
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSIC711CD10-T1
Код на поръчката1497633
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds24V
Continuous Drain Current Id-
Drain Source On State Resistance0.005ohm
Transistor Case Style-
Transistor Mounting-
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation6W
No. of Pins-
Operating Temperature Max-
Product Range-
Qualification-
MSL-
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
-
Transistor Case Style
-
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
6W
Operating Temperature Max
-
Qualification
-
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Drain Source Voltage Vds
24V
Drain Source On State Resistance
0.005ohm
Transistor Mounting
-
Gate Source Threshold Voltage Max
-
No. of Pins
-
Product Range
-
MSL
-
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Taiwan
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Taiwan
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:В очакване на инструкции
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (15-Jun-2015)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.00069