Отпечатване на страница
SIHP22N60E-GE3
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Through Hole
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSIHP22N60E-GE3
Код на поръчката2364084
Лист с технически данни
812 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 3,100 |
| 10+ | € 2,940 |
| 100+ | € 2,480 |
| 500+ | € 2,360 |
| 1000+ | € 1,910 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 3,10 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSIHP22N60E-GE3
Код на поръчката2364084
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation227W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Преглед на продукта
- E Series Power MOSFET
- Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
- Low input capacitance (Ciss
- Reduced switching and conduction losses
- Ultra low gate charge (Qg)
- Avalanche energy rated (UIS)
- Used in SMPS, PFC and lighting
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
227W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Технически документи (2)
Алтернативи за SIHP22N60E-GE3
6 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):Lead (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.002873
Проследяване на продуктите