Отпечатване на страница
SIJ482DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 60 A, 0.0062 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSIJ482DP-T1-GE3
Код на поръчката2283671
Лист с технически данни
На разположение за поръчка
Стандартно време за изпълнение на производителя: 37 седмица(и)
| Количество | |
|---|---|
| 3000+ | € 0,756 |
Цена за:Each
Минимален: 3000
Множествен: 3000
€ 2 268,00 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSIJ482DP-T1-GE3
Код на поръчката2283671
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source On State Resistance0.0062ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation69.4W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Преглед на продукта
The SIJ482DP-T1-GE3 is a 80VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC primary side switch, synchronous rectification and high current switching applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Capable of operating with 5V gate drive
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Приложения
Industrial, Power Management
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
69.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0062ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
5Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Технически документи (2)
Алтернативи за SIJ482DP-T1-GE3
4 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):Lead (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.00012
Проследяване на продуктите