Отпечатване на страница
SIR500DP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 350.8 A, 470 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSIR500DP-T1-RE3
Код на поръчката3677848
Продуктова гамаTrenchFET Gen V
Лист с технически данни
38 382 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 2,140 |
| 10+ | € 1,450 |
| 100+ | € 0,997 |
| 500+ | € 0,795 |
| 1000+ | € 0,755 |
| 5000+ | € 0,651 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 2,14 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSIR500DP-T1-RE3
Код на поръчката3677848
Продуктова гамаTrenchFET Gen V
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id350.8A
Drain Source On State Resistance470µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation104.1W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V
Qualification-
Преглед на продукта
N-channel 30V (D-S) 150°C MOSFET in PowerPAK SO-8 package is typically used in DC/DC converter, POL, synchronous rectification, battery management, power and load switch applications.
- TrenchFET® Gen V power MOSFET
- Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
- Enables higher power density with very low RDS(on) and thermally enhanced compact package
- 100% Rg and UIS tested
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
350.8A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
470µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V
MSL
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):Lead (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.0005
Проследяване на продуктите