Отпечатване на страница
SIR610DP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 35.4 A, 0.0319 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSIR610DP-T1-RE3
Код на поръчката2747691
Продуктова гамаThunderFET
Лист с технически данни
10 604 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 2,080 |
| 10+ | € 1,510 |
| 100+ | € 1,110 |
| 500+ | € 0,890 |
| 1000+ | € 0,847 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 2,08 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSIR610DP-T1-RE3
Код на поръчката2747691
Продуктова гамаThunderFET
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id35.4A
Drain Source On State Resistance0.0319ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeThunderFET
Qualification-
Преглед на продукта
N-channel 200V (D-S) MOSFET suitable for use in fixed telecom, DC/DC converter, primary and secondary side switch, synchronous rectification, LED lighting, power supplies and Class D amplifier.
- ThunderFET® technology optimizes balance of RDS(on), Qi, Qsw and Qoss
- 100% Rg and UIS tested
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35.4A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.0319ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
ThunderFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):Lead (07-Nov-2024)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.00001
Проследяване на продуктите