Отпечатване на страница
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSIS443DN-T1-GE3
Код на поръчката2364099
Лист с технически данни
43 234 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
Количество | |
---|---|
1+ | € 1,630 |
10+ | € 1,140 |
100+ | € 0,882 |
500+ | € 0,668 |
1000+ | € 0,610 |
5000+ | € 0,542 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 1,63 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSIS443DN-T1-GE3
Код на поръчката2364099
Лист с технически данни
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.0097ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Преглед на продукта
The SIS443DN-T1-GE3 is a -40V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for use in notebook battery charging, DC/DC converter and adapter switch applications. The P-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mΩ and with the capability to handle 85A.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
Приложения
Power Management, Consumer Electronics, Computers & Computer Peripherals
Технически характеристики
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0097ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Taiwan
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Taiwan
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):Lead (07-Nov-2024)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.002