Отпечатване на страница
SISS61DN-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 111.9 A, 0.0035 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSISS61DN-T1-GE3
Код на поръчката3050577RL
Продуктова гамаTrenchFET Gen III
Лист с технически данни
36 083 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 100+ | € 0,612 |
| 500+ | € 0,442 |
| 1000+ | € 0,403 |
| 5000+ | € 0,353 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 100
Множествен: 5
€ 66,20 (без ДДС)
Допълнителна такса за пренавиване от € 5,00 ще бъде добавена за този продукт
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSISS61DN-T1-GE3
Код на поръчката3050577RL
Продуктова гамаTrenchFET Gen III
Лист с технически данни
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id111.9A
Drain Source On State Resistance0.0035ohm
On Resistance Rds(on)0.0029ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation65.8W
Power Dissipation Pd65.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
Преглед на продукта
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.0035ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
65.8W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen III
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
111.9A
On Resistance Rds(on)
0.0029ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
Power Dissipation Pd
65.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):Lead (07-Nov-2024)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.0035