Отпечатване на страница
SIZ256DT-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 70 V, 70 V, 31.8 A, 31.8 A, 0.0137 ohm
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSIZ256DT-T1-GE3
Код на поръчката3605913
Продуктова гамаTrenchFET Gen IV Series
Лист с технически данни
5 830 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 1,730 |
| 10+ | € 1,090 |
| 100+ | € 0,716 |
| 500+ | € 0,524 |
| 1000+ | € 0,485 |
| 5000+ | € 0,436 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 1,73 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSIZ256DT-T1-GE3
Код на поръчката3605913
Продуктова гамаTrenchFET Gen IV Series
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel70V
Drain Source Voltage Vds P Channel70V
Continuous Drain Current Id N Channel31.8A
Continuous Drain Current Id P Channel31.8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0137ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0137ohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel33W
Power Dissipation P Channel33W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
70V
Continuous Drain Current Id P Channel
31.8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0137ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
33W
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds N Channel
70V
Continuous Drain Current Id N Channel
31.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0137ohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
33W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Taiwan
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Taiwan
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):Lead (07-Nov-2024)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.0005
Проследяване на продуктите