Отпечатване на страница
SQ1539EH-T1_GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSQ1539EH-T1_GE3
Код на поръчката3470722
Продуктова гамаTrenchFET Series
Лист с технически данни
4 229 В наличност
3 000 Можете да резервирате наличност сега
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 5+ | € 0,372 |
| 50+ | € 0,231 |
| 100+ | € 0,200 |
| 500+ | € 0,176 |
| 1500+ | € 0,168 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 5
Множествен: 5
€ 1,86 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSQ1539EH-T1_GE3
Код на поръчката3470722
Продуктова гамаTrenchFET Series
Лист с технически данни
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel850mA
Continuous Drain Current Id P Channel850mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.21ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.21ohm
Transistor Case StyleSC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.5W
Power Dissipation P Channel1.5W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Технически характеристики
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
850mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.21ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.5W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
850mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.21ohm
Transistor Case Style
SC-70
Power Dissipation N Channel
1.5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000002
Проследяване на продуктите