Отпечатване на страница
SQ1922AEEH-T1_GE3
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSQ1922AEEH-T1_GE3
Код на поръчката3104164
Продуктова гамаTrenchFET Series
Лист с технически данни
5 755 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 5+ | € 0,522 |
| 10+ | € 0,384 |
| 100+ | € 0,270 |
| 500+ | € 0,206 |
| 1000+ | € 0,173 |
| 5000+ | € 0,134 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 5
Множествен: 5
€ 2,61 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSQ1922AEEH-T1_GE3
Код на поръчката3104164
Продуктова гамаTrenchFET Series
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel850mA
Continuous Drain Current Id P Channel850mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.21ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.21ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.5W
Power Dissipation P Channel1.5W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Преглед на продукта
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
850mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.21ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.5W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
850mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.21ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
1.5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):Lead (07-Nov-2024)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.009