Отпечатване на страница
SQJ126EP-T1_GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 500 A, 940 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSQJ126EP-T1_GE3
Код на поръчката3765813RL
Продуктова гамаTrenchFET Gen IV
Лист с технически данни
5 848 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 100+ | € 1,050 |
| 500+ | € 0,765 |
| 1000+ | € 0,733 |
| 5000+ | € 0,627 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 100
Множествен: 1
€ 110,00 (без ДДС)
Допълнителна такса за пренавиване от € 5,00 ще бъде добавена за този продукт
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSQJ126EP-T1_GE3
Код на поръчката3765813RL
Продуктова гамаTrenchFET Gen IV
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id500A
Drain Source On State Resistance940µohm
On Resistance Rds(on)700µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd500W
Power Dissipation500W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
Преглед на продукта
- Automotive N-channel 30V (D-S) 175°C MOSFET
- TrenchFET® Gen IV power MOSFET
- AEC-Q101 qualified
- 100% Rg and UIS tested
- Qgd/Qgs ratio <lt/> 1 optimizes switching characteristics
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
940µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
500W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
500A
On Resistance Rds(on)
700µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
500W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):Lead (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000001
Проследяване на продуктите