Отпечатване на страница
SQJQ160E-T1_GE3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 602 A, 850 µohm, PowerPAK, Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSQJQ160E-T1_GE3
Код на поръчката3777518RL
Продуктова гамаTrenchFET Gen IV
Лист с технически данни
2 736 В наличност
6 000 Можете да резервирате наличност сега
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 100+ | € 2,060 |
| 500+ | € 1,910 |
| 1000+ | € 1,770 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 100
Множествен: 5
€ 211,00 (без ДДС)
Допълнителна такса за пренавиване от € 5,00 ще бъде добавена за този продукт
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSQJQ160E-T1_GE3
Код на поръчката3777518RL
Продуктова гамаTrenchFET Gen IV
Лист с технически данни
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id602A
Drain Source On State Resistance850µohm
On Resistance Rds(on)550µohm
Transistor Case StylePowerPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation600W
Power Dissipation Pd600W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
Технически характеристики
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
850µohm
Transistor Case Style
PowerPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
600W
No. of Pins
4Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
602A
On Resistance Rds(on)
550µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
600W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000001
Проследяване на продуктите