Отпечатване на страница
SQS486CENW-T1_GE3
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 18 A, 0.0041 ohm, PowerPAK 1212-8W, Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSQS486CENW-T1_GE3
Код на поръчката3729613RL
Продуктова гамаTrenchFET Gen IV
Лист с технически данни
5 727 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 100+ | € 0,535 |
| 500+ | € 0,389 |
| 1000+ | € 0,351 |
| 5000+ | € 0,270 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 100
Множествен: 1
€ 58,50 (без ДДС)
Допълнителна такса за пренавиване от € 5,00 ще бъде добавена за този продукт
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSQS486CENW-T1_GE3
Код на поръчката3729613RL
Продуктова гамаTrenchFET Gen IV
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id18A
Drain Source On State Resistance0.0041ohm
On Resistance Rds(on)0.0041ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-8W
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation62.5W
Power Dissipation Pd62.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0041ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-8W
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
62.5W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
18A
On Resistance Rds(on)
0.0041ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
Power Dissipation Pd
62.5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (07-Nov-2024)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.0005
Проследяване на продуктите