Отпечатване на страница
SQS966ENW-T1_GE3
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 6 A, 6 A, 0.028 ohm
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSQS966ENW-T1_GE3
Код на поръчката2932992RL
Продуктова гамаTrenchFET Series
Лист с технически данни
10 313 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 100+ | € 0,532 |
| 500+ | € 0,422 |
| 1000+ | € 0,369 |
| 5000+ | € 0,340 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 100
Множествен: 1
€ 58,20 (без ДДС)
Допълнителна такса за пренавиване от € 5,00 ще бъде добавена за този продукт
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSQS966ENW-T1_GE3
Код на поръчката2932992RL
Продуктова гамаTrenchFET Series
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel6A
Continuous Drain Current Id P Channel6A
Drain Source On State Resistance N Channel0.028ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.028ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel27.8W
Power Dissipation P Channel27.8W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
6A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.028ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
27.8W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.028ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation N Channel
27.8W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (07-Nov-2024)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000082
Проследяване на продуктите