Отпечатване на страница
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSST201-T1-E3
Код на поръчката1704001RL
Лист с технически данни
Информация за продукта
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяSST201-T1-E3
Код на поръчката1704001RL
Лист с технически данни
Gate Source Breakdown Voltage Max-40V
Zero Gate Voltage Drain Current Max1mA
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Алтернативи за SST201-T1-E3
7 Намерени продукта
Преглед на продукта
The SST201-T1-E3 is a N-channel JFET with low cut-off voltage and high input impedance. It is excellent for battery powered equipment and low current amplifiers.
- Very low noise
- High gain
- Low signal loss/system error
- High system sensitivity
- High quality low level amplification
Приложения
Audio, Power Management
Технически характеристики
Gate Source Breakdown Voltage Max
-40V
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Qualification
-
Zero Gate Voltage Drain Current Max
1mA
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:United States
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:United States
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:В очакване на инструкции
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (15-Jun-2015)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000038