Отпечатване на страница
TSFF5210-CS12
Infrared Emitter, High Speed, 870 nm, 10 °, T-1 3/4 (5mm), 180 mW/Sr, 15 ns, 15 ns
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяTSFF5210-CS12
Код на поръчката2251305
Лист с технически данни
14 362 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
На разположение до изчерпване на количествата
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 1,620 |
| 10+ | € 1,030 |
| 25+ | € 1,010 |
| 50+ | € 0,999 |
| 100+ | € 0,708 |
| 500+ | € 0,596 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 1,62 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяTSFF5210-CS12
Код на поръчката2251305
Лист с технически данни
Peak Wavelength870nm
Angle of Half Intensity10°
Diode Case StyleT-1 3/4 (5mm)
Radiant Intensity (Ie)180mW/Sr
Rise Time15ns
Fall Time tf15ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max-
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
Преглед на продукта
870nm, GaAlAs double hetero high speed infrared emitting diode. It is suitable for use in Infrared video data transmission between camcorder and TV set, free air data transmission systems with high modulation frequencies or high data transmission rate requirements and smoke-automatic fire detectors.
- Package form: T-1 3/4
- Leads with stand-off
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- Angle of half intensity: = ± 10°
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- High modulation bandwidth: fc = 24MHz
- Good spectral matching with Si photodetectors
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Peak Wavelength
870nm
Diode Case Style
T-1 3/4 (5mm)
Rise Time
15ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
Angle of Half Intensity
10°
Radiant Intensity (Ie)
180mW/Sr
Fall Time tf
15ns
Forward Voltage VF Max
-
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
-
Технически документи (2)
Сродни продукти
2 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.00035