Отпечатване на страница
TSFF5210
Infrared Emitter, High Speed, 870 nm, 10 °, T-1 3/4 (5mm), 15 mW/Sr, 15 ns, 15 ns
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
2 В наличност
Имате нужда от повече?
ЕКСПРЕСНА доставка до 1 – 2 работни дни
Поръчайте преди 17:00 ч.
БЕЗПЛАТНА стандартна доставка
при поръчки от € 0,00 и повече
Точните срокове за доставка ще бъдат изчислени при плащане
На разположение до изчерпване на количествата
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 0,863 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 0,86 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяTSFF5210
Код на поръчката1652531
Лист с технически данни
Peak Wavelength870nm
Angle of Half Intensity10°
Diode Case StyleT-1 3/4 (5mm)
Radiant Intensity (Ie)15mW/Sr
Rise Time15ns
Fall Time tf15ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max1.5V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
MSL-
SVHCTo Be Advised
Преглед на продукта
The TSFF5210 is a 870nm Infrared Emitting Diode in GaAlAs double hetero (DH) technology. It is moulded in a clear, untinted plastic package. It is suitable for use in infrared video data transmission between camcorder and TV set, free air data transmission systems with high modulation frequencies or high data transmission rate requirements, smoke-automatic fire detectors.
- High speed
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- ϕ = ±10° Angle of half intensity
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- Good spectral matching with Si photodetectors
- 12MHz High modulation bandwidth (fc)
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Peak Wavelength
870nm
Diode Case Style
T-1 3/4 (5mm)
Rise Time
15ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
MSL
-
Angle of Half Intensity
10°
Radiant Intensity (Ie)
15mW/Sr
Fall Time tf
15ns
Forward Voltage VF Max
1.5V
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Технически документи (2)
Сродни продукти
2 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):To Be Advised
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000363