Отпечатване на страница
7 730 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 1,680 |
| 10+ | € 1,640 |
| 100+ | € 1,550 |
| 500+ | € 1,470 |
| 1000+ | € 1,380 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 1,68 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяVB60100C-E3/4W
Код на поръчката2889263
Продуктова гамаTMBS
Лист с технически данни
Repetitive Peak Reverse Voltage100V
Average Forward Current60A
Diode ConfigurationDual Common Cathode
Diode Case StyleTO-263AB
No. of Pins3Pins
Forward Voltage Max790mV
Forward Surge Current320A
Operating Temperature Max150°C
Diode MountingSurface Mount
Product RangeTMBS
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Преглед на продукта
VB60100C-E3/4W is a dual high voltage TMBS® (trench MOS barrier schottky) rectifier. Typical application includes for use in high frequency converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, DC/DC converters, and reverse battery protection.
- Low forward voltage drop, low power losses
- High efficiency operation
- Low thermal resistance
- Maximum repetitive peak reverse voltage is 100V (TA = 25°C)
- Maximum average forward rectified current is 30A (TA = 25°C, per diode), IFSM is 30A (TA = 25°C)
- Non-repetitive avalanche energy at TJ = 25°C, L = 140mH per diode is 450mJ
- Peak repetitive reverse current at tp = 2μs, 1KHz, TJ = 38°C ± 2°C per diode is 1.0A (TA = 25°C)
- Voltage rate of change (rated VR) is 10000V/μs (TA = 25°C)
- Minimum breakdown voltage is 100V (IR = 1.0mA, TA = 25°C)
- TO-263AB package, operating junction and storage temperature range from -40 to +150°C
Технически характеристики
Repetitive Peak Reverse Voltage
100V
Diode Configuration
Dual Common Cathode
No. of Pins
3Pins
Forward Surge Current
320A
Diode Mounting
Surface Mount
Qualification
-
Average Forward Current
60A
Diode Case Style
TO-263AB
Forward Voltage Max
790mV
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
TMBS
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):Lead (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.09
Проследяване на продуктите