Отпечатване на страница
VEMD8080
Photo Diode, Silicon Pin, 65°, 0.2 nA, 850 nm, Top View SMD, 8 Pins, -40 °C to 85 °C
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
9 129 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 100+ | € 1,130 |
| 500+ | € 0,988 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 100
Множествен: 1
€ 118,00 (без ДДС)
Допълнителна такса за пренавиване от € 5,00 ще бъде добавена за този продукт
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяVEMD8080
Код на поръчката3588569RL
Лист с технически данни
No. of Pins8Pins
Diode Case StyleSMD
Wavelength of Peak Sensitivity850nm
Angle of Half Sensitivity ±65°
Dark Current0.2nA
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Преглед на продукта
VEMD8080 is a silicon PIN photodiode. This is a high speed and high sensitive PIN photodiode with enhanced sensitivity for visible light. It is a low profile surface-mount device (SMD) including the chip with a 4.5mm² sensitive area detecting visible and near infrared radiation. Application includes high speed photo detector, wearables.
- 0.48mm low profile package, enhanced sensitivity for visible light
- Suitable for visible and near infrared radiation, fast response times
- Surface-mount package type, top view package form
- Angle of half sensitivity is ±65deg (typ, Ta=25°C), forward voltage is 1.2V (typ, IF=50mA, Ta=25°C)
- Reverse dark current is 0.2nA (typ, VR = 10V, E = 0, Tamb = 25°C)
- Diode capacitance is 47pF (typ, VR = 0V, f = 1MHz, E = 0, Tamb = 25°C)
- Open circuit voltage is 320mV (typ, Ee = 1mW/cm², λ = 950nm, Tamb = 25°C)
- Rise time is 70ns (typ, VR = 10V, RL = 1Kohm, λ = 830nm, Tamb = 25°C)
- Operating temperature range from -40 to +85°C
Технически характеристики
No. of Pins
8Pins
Wavelength of Peak Sensitivity
850nm
Dark Current
0.2nA
Operating Temperature Max
85°C
Automotive Qualification Standard
-
Diode Case Style
SMD
Angle of Half Sensitivity ±
65°
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Philippines
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Philippines
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (07-Nov-2024)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.004536
Проследяване на продуктите