Отпечатване на страница
122 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
На разположение до изчерпване на количествата
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 102,460 |
| 5+ | € 98,770 |
| 10+ | € 95,070 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 102,46 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителWOLFSPEED
Част № на производителяC2M0045170P
Код на поръчката2893480
Продуктова гамаC2M
Лист с технически данни
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id72A
Drain Source Voltage Vds1.7kV
Drain Source On State Resistance0.045ohm
Transistor Case StyleTO-247 Plus
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.6V
Power Dissipation520W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeC2M
MSL-
SVHCTo Be Advised
Преглед на продукта
C2M0045170P is a C2M™ silicon carbide, N-channel enhancement mode power MOSFET. applications include solar inverters, switch mode power supplies, high voltage DC/DC converters, motor drive, pulsed power applications.
- 2nd generation SiC MOSFET technology, optimized package with separate driver source pin
- 8mm of creepage distance between drain and source, resistant to latch-up
- High blocking voltage with low on-resistance, high speed switching with low capacitances
- Reduce switching losses and minimize gate ringing
- Higher system efficiency, reduced cooling requirements
- Increased power density, increased system switching frequency
- Drain-source breakdown voltage is 1700V min (VGS = 0V, ID = 100μA, TC = 25°C)
- 3V typical gate threshold voltage (VDS = VGS, ID = 18mA, TC = 25°C)
- 40 ohm typical drain-source on-state resistance at VGS = 20V, ID = 50A, TC = 25°C
- Operating junction temperature range from -40 to 50°C
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
72A
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.6V
Operating Temperature Max
150°C
MSL
-
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.7kV
Transistor Case Style
TO-247 Plus
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
520W
Product Range
C2M
SVHC
To Be Advised
Технически документи (2)
Сродни продукти
Открит е 1 продукт
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Philippines
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Philippines
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):To Be Advised
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.005
Проследяване на продуктите