Отпечатване на страница
1 427 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 85,840 |
| 5+ | € 77,670 |
| 10+ | € 69,490 |
| 50+ | € 68,100 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 85,84 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителWOLFSPEED
Част № на производителяC3M0016120K
Код на поръчката3212276
Продуктова гамаC3M
Лист с технически данни
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id115A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0223ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max3.6V
Power Dissipation556W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeC3M
SVHCTo Be Advised
Преглед на продукта
C3M0016120K is a C3M™MOSFET technology N-Channel enhancement mode silicon carbide power MOSFET. Application includes solar inverters, EV motor drive, high voltage DC/DC converters, switched mode power supplies, load switch.
- 3rd generation SiC MOSFET technology, optimized package with separate driver source pin
- 0.31inch of creepage distance between drain and source, high blocking voltage with low on-resistance
- High-speed switching with low capacitances, fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr)
- Reduce switching losses and minimize gate ringing, higher system efficiency
- Reduce cooling requirements, increase power density
- Increase system switching frequency
- 1200V drain - source voltage (VGS = 0V, ID = 100μA)
- 115A continuous drain current (VGS = 15V, TC = 25˚C)
- 16mohm drain-source on-state resistance (VGS = 15V, ID = 75A)
- TO 247-4 package, operating junction and storage temperature range from -40 to +175˚C
Технически характеристики
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
115A
Drain Source On State Resistance
0.0223ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
556W
Product Range
C3M
Технически документи (2)
Алтернативи за C3M0016120K
Открит е 1 продукт
Сродни продукти
Открит е 1 продукт
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Philippines
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Philippines
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):To Be Advised
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.008673