Отпечатване на страница
CCS050M12CM2
Silicon Carbide MOSFET, 6 Pack, Half Bridge, N Channel, 87 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, Module
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителWOLFSPEED
Част № на производителяCCS050M12CM2
Код на поръчката2317992
Лист с технически данни
138 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
На разположение до изчерпване на количествата
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 391,170 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 391,17 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителWOLFSPEED
Част № на производителяCCS050M12CM2
Код на поръчката2317992
Лист с технически данни
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id87A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins20Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation337W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2014)
Преглед на продукта
The CCS050M12CM2 is a 3-phase silicon Carbide Module with zero turn-off tail current, high frequency operation, enables compact and lightweight system, high efficiency operation. Suitable for Z-FET™ MOSFET and Z-Rec™ diode.
- Ultra low loss
- Zero reverse recovery current
- Ease of transistor gate control
- Reduced cooling requirements
- 250A Pulsed drain current
- 150°C Junction temperature
Приложения
Power Management, Motor Drive & Control, Alternative Energy, Medical
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
87A
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
No. of Pins
20Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2014)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
337W
Product Range
-
Технически документи (3)
Сродни продукти
Открит е 1 продукт
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (17-Dec-2014)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.329308