Отпечатване на страница

FCD4N60TM

Name: Power MOSFET, N Channel, 600 V, 3.9 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Brand: ONSEMI
SKU: 2985417
Availability: OutOfStock

Power MOSFET, N Channel, 600 V, 3.9 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Date/Lot Code

Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.

ПроизводителONSEMI

Част № на производителяFCD4N60TM

Код на поръчката2985417

Продуктова гамаSuperFET

Лист с технически данни

Data Sheet

Вижте цялата техническа документация

Опции за опаковка

Прекъсната лента

Пренавиване

Цели бобини

На разположение за поръчка

Стандартно време за изпълнение на производителя: 11 седмица(и)

Свържете се с мен, когато продуктът е наличен отново.

Количество
2500+	€ 0,627
7500+	€ 0,626

Цена за:Each (Supplied on Full Reel)

Минимален: 2500

Множествен: 2500

€ 1 567,50 (без ДДС)

Добавете номер на частта /Бележка на реда

Бележка в полето

Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.

№ на Вашата част

Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.

Информация за продукта

ПроизводителONSEMI

Част № на производителяFCD4N60TM

Код на поръчката2985417

Продуктова гамаSuperFET

Лист с технически данни

Data Sheet

Channel TypeN Channel

Drain Source Voltage Vds600V

Continuous Drain Current Id3.9A

Drain Source On State Resistance1ohm

Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)

Transistor MountingSurface Mount

Rds(on) Test Voltage10V

Gate Source Threshold Voltage Max5V

Power Dissipation50W

No. of Pins3Pins

Operating Temperature Max150°C

Product RangeSuperFET

Qualification-

SVHCLead (27-Jun-2024)

Преглед на продукта

The FCD4N60TM is a N-channel SuperFET® high voltage super-junction MOSFET utilizes charge balance technology for outstanding low ON-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dV/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.

Ultra low gate charge (Qg = 12.8nC)
Low effective output capacitance (Coss.eff = 32pF)
100% avalanche tested

Приложения

Industrial, Power Management, Communications & Networking, Lighting, Alternative Energy

Технически характеристики

Channel Type

N Channel

Continuous Drain Current Id

3.9A

Transistor Case Style

TO-252 (DPAK)

Rds(on) Test Voltage

10V

Power Dissipation

50W

Operating Temperature Max

150°C

Qualification

Drain Source Voltage Vds

600V

Drain Source On State Resistance

1ohm

Transistor Mounting

Surface Mount

Gate Source Threshold Voltage Max

No. of Pins

3Pins

Product Range

SuperFET

SVHC

Lead (27-Jun-2024)

Технически документи (2)

Product Change Notice EN

Technical Data Sheet EN

Законодателство и околна среда

Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес

Тарифа №:85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

RoHS съвместим:Y-Ex

RoHS

Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да

RoHS

Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):Lead (27-Jun-2024)

Изтеглете сертификат за съответствие на продукта

Сертификат за съответствие на продукта

Тегло (кг):.001814

Проследяване на продуктите