Отпечатване на страница
BSS84PH6327XTSA2
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяBSS84PH6327XTSA2
Код на поръчката1056526RL
Продуктова гамаSIPMOS Series
Известен също катоBSS84P H6327, SP000929186
Лист с технически данни
1 022 868 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 500+ | € 0,0657 |
| 1000+ | € 0,0581 |
| 5000+ | € 0,0448 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 500
Множествен: 5
€ 37,85 (без ДДС)
Допълнителна такса за пренавиване от € 5,00 ще бъде добавена за този продукт
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяBSS84PH6327XTSA2
Код на поръчката1056526RL
Продуктова гамаSIPMOS Series
Известен също катоBSS84P H6327, SP000929186
Лист с технически данни
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id170mA
Drain Source On State Resistance8ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation360mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSIPMOS Series
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Преглед на продукта
The BSS84P H6327 from Infineon is surface mount, P channel logic level enhancement mode SIPMOS small signal transistor in SOT-23 package. The device features dv/dt and Avalanche ratings.
- Automotive grade AEC-Q101 qualified
- Drain to source voltage (Vds) of -60V
- Gate to source voltage of ±20V
- Continuous drain current (Id) of -170mA
- Power dissipation (pd) of 360mW
- Operating temperature range -55°C to 150°C
- Low on state resistance of 8ohm at Vgs -4.5V
Приложения
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial, Automotive
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
170mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
360mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
8ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
SIPMOS Series
MSL
-
Технически документи (3)
Алтернативи за BSS84PH6327XTSA2
4 Намерени продукта
Сродни продукти
3 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000033