Отпечатване на страница
IPD053N08N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 90 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIPD053N08N3GATMA1
Код на поръчката1775574
Продуктова гамаOptiMOS 3 Series
Известен също катоIPD053N08N3 G, SP001127818
Лист с технически данни
17 360 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 1,560 |
| 10+ | € 1,260 |
| 100+ | € 1,050 |
| 500+ | € 0,979 |
| 1000+ | € 0,956 |
| 5000+ | € 0,932 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 1,56 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIPD053N08N3GATMA1
Код на поръчката1775574
Продуктова гамаOptiMOS 3 Series
Известен също катоIPD053N08N3 G, SP001127818
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source On State Resistance0.0053ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 3 Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Преглед на продукта
The IPD053N08N3 G is a N-channel OptiMOS™ 3 Power Transistor with superior thermal resistance, excellent gate charge x R DS(ON) product (FOM) and superior thermal resistance. Optimized technology for DC/DC converters. Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification.
- Dual sided cooling
- Very low on resistance
- 100% Avalanche tested
- Low parasitic inductance
- Halogen-free
Приложения
Power Management, Consumer Electronics, Communications & Networking, Motor Drive & Control
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
90A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0053ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS 3 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (1)
Алтернативи за IPD053N08N3GATMA1
Открит е 1 продукт
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.00042
Проследяване на продуктите