Отпечатване на страница
IXFN80N50
MOSFET Transistor, HiPerFET, N Channel, 80 A, 500 V, 0.055 ohm, 10 V, 4.5 V
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителIXYS SEMICONDUCTOR
Част № на производителяIXFN80N50
Код на поръчката7348029
Продуктова гамаHiPerFET Series
Лист с технически данни
95 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
На разположение до изчерпване на количествата
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 55,930 |
| 5+ | € 53,130 |
| 10+ | € 40,620 |
| 50+ | € 39,530 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 55,93 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителIXYS SEMICONDUCTOR
Част № на производителяIXFN80N50
Код на поръчката7348029
Продуктова гамаHiPerFET Series
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source Voltage Vds500V
On Resistance Rds(on)0.055ohm
Drain Source On State Resistance0.055ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor MountingModule
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd780W
Power Dissipation780W
Transistor Case StyleISOTOP
Operating Temperature Max150°C
No. of Pins4Pins
Qualification-
Product RangeHiPerFET Series
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Преглед на продукта
The IXFN80N50 is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC, with aluminium nitride isolation, low RDS (on) HDMOSTM process, rugged polysilicon gate cell structure and unclamped inductive switching (UIS) rated.
- Fast intrinsic rectifier
- High dv/dt rating
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Приложения
Power Management, Lighting, Motor Drive & Control
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
On Resistance Rds(on)
0.055ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
780W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.055ohm
Transistor Mounting
Module
Power Dissipation Pd
780W
Transistor Case Style
ISOTOP
No. of Pins
4Pins
Product Range
HiPerFET Series
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Germany
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Germany
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (17-Jan-2023)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.234507