Отпечатване на страница
IXFN90N85X
MOSFET Transistor, N Channel, 90 A, 850 V, 0.041 ohm, 10 V, 5.5 V
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителLITTELFUSE
Част № на производителяIXFN90N85X
Код на поръчката3930244
Лист с технически данни
116 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 49,460 |
| 5+ | € 46,350 |
| 10+ | € 43,250 |
| 50+ | € 40,140 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 49,46 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителLITTELFUSE
Част № на производителяIXFN90N85X
Код на поръчката3930244
Лист с технически данни
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source Voltage Vds850V
On Resistance Rds(on)0.041ohm
Drain Source On State Resistance0.041ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation1.2kW
Power Dissipation Pd1.2kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Преглед на продукта
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode suitable for use in DC-DC converters, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC and DC motor control, robotics and servo controls application.
- X-Class HiPerFET™ power MOSFET
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Isolation voltage 2500V
- High current handling capability
- Low RDS(on)
- High power density
- Easy to mount
- Space savings
Технически характеристики
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
90A
On Resistance Rds(on)
0.041ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.2kW
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
850V
Drain Source On State Resistance
0.041ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
Power Dissipation Pd
1.2kW
Product Range
-
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:South Korea
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:South Korea
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):To Be Advised
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000001
Проследяване на продуктите