Отпечатване на страница
NXH50M65L4C2SG
IGBT Module, 50 A, 1.6 V, 150 °C, DIP
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителONSEMI
Част № на производителяNXH50M65L4C2SG
Код на поръчката3872101
Лист с технически данни
6 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
На разположение до изчерпване на количествата
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 55,330 |
| 5+ | € 54,220 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 55,33 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителONSEMI
Част № на производителяNXH50M65L4C2SG
Код на поръчката3872101
Лист с технически данни
IGBT Configuration-
Continuous Collector Current50A
DC Collector Current50A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.6V
Collector Emitter Saturation Voltage1.6V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleDIP
IGBT TerminationSolder
Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
Collector Emitter Voltage Max650V
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Технически характеристики
IGBT Configuration
-
DC Collector Current
50A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.6V
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Solder
Collector Emitter Voltage Max
650V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Continuous Collector Current
50A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.6V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
DIP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
650V
IGBT Technology
-
Product Range
-
Технически документи (3)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (15-Jan-2018)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.0001