Отпечатване на страница
IRF520PBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 9.2 A, 0.27 ohm, TO-220AB, Through Hole
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
1 921 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 0,891 |
| 10+ | € 0,762 |
| 100+ | € 0,597 |
| 500+ | € 0,562 |
| 1000+ | € 0,469 |
| 5000+ | € 0,376 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 0,89 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяIRF520PBF
Код на поръчката8648239
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id9.2A
Drain Source On State Resistance0.27ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation60W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Преглед на продукта
The IRF520PBF is a 100V N-channel Power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The low thermal resistance contributes to its wide acceptance throughout the industry.
- Dynamic dv/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- Fast switching
- Ease of paralleling
- Simple drive requirements
- ±20V Gate to source voltage
- 2.5°C/W Thermal resistance, junction to case
- 62°C/W Thermal resistance, junction to ambient
Приложения
Industrial, Commercial
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
9.2A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
60W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.27ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Технически документи (2)
Алтернативи за IRF520PBF
2 Намерени продукта
Сродни продукти
Открит е 1 продукт
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):Lead (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.002
Проследяване на продуктите